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BD534 +BOM

PNP Bipolar Transistors

Hauptmerkmale

  • Low power consumption
  • Flexible operating range
  • Durable construction
  • Compliant with IEC standards

Anwendung

  • Feedback control circuits
  • Remote monitoring circuits
  • Signal modulation circuits

Spezifikationen

Product Category Bipolar Transistors - BJT Mounting Style Through Hole
Transistor Polarity PNP Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V Collector- Base Voltage VCBO 45 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V Collector-Emitter Saturation Voltage 800 mV
Maximum DC Collector Current 8 A Pd - Power Dissipation 50 W
Gain Bandwidth Product fT 12 MHz Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Series BD534
Continuous Collector Current 8 A DC Collector/Base Gain hfe Min 20
Height 9.15 mm Length 10.4 mm
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Factory Pack Quantity 50
Subcategory Transistors Technology Si
Width 4.6 mm Unit Weight 0.211644 oz

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