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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BD536 +BOM

Ideal for switching and amplification circui

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

BD536
Datenblatt:

BD536 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

60 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BD536

BD536 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 8 A 50 W Through Hole TO-220

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	800 mV
Maximum DC Collector Current	8 A	Pd - Power Dissipation	50 W
Gain Bandwidth Product fT	12 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	BD536
Continuous Collector Current	8 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	20
DC Current Gain hFE Max	40	Height	9.15 mm
Length	10.4 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	50	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	4.6 mm
Unit Weight	0.211644 oz

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