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Siehe Technische Spezifikationen

BD539C-S +BOM

Trans GP BJT NPN 100V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Hersteller:

Bourns Inc.
Herstellerteil #:

BD539C-S
Datenblatt:

BD539C-S Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1.5V @ 1A, 5A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BD539C-S

BD539C-S Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	5 A	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 1A, 5A	Current - Collector Cutoff (Max)	300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	12 @ 3A, 4V	Power - Max	2 W
Frequency - Transition	-	Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	BD539

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