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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BFR91A +BOM

High durability RF bipolar junction transistor integrated circuit

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

BFR91A
Datenblatt:

BFR91A Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

12 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BFR91A

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

High power gain
Low noise figure
High transition frequency
Lead (Pb)-free component
Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	12 V	Collector- Base Voltage VCBO	20 V
Emitter- Base Voltage VEBO	2 V	Maximum DC Collector Current	50 mA
Pd - Power Dissipation	300 mW	Gain Bandwidth Product fT	5 GHz
DC Collector/Base Gain hfe Min	25	Height	2.5 mm
Length	4.8 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	4.8 mm

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