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Siehe Technische Spezifikationen

BFU790F,115 +BOM

NPN wideband silicon germanium RF transistor

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

BFU790F,115
Datenblatt:

BFU790F,115 Datenblatt (PDF)
Generation:

7th
FT [typ] (MHz):

25000
VCEO [max] (V):

2.8
IC [max] (mA):

100
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BFU790F,115

BFU790F,115 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 2.8V 100mA 25GHz 234mW Surface Mount 4-DFP

Hauptmerkmale

NPN Wideband Silicon Germanium RF Transistor

Spezifikationen

Generation	7th	f<sub>T</sub> [typ] (MHz)	25000
V<sub>CEO</sub> [max] (V)	2.8	I<sub>C</sub> [max] (mA)	100
P<sub>tot</sub> [max] (mW)	234	Polarity	NPN
NF (dB)	0.5	@f (MHz)	2400
@I<sub>C</sub> (mA)	20	@V<sub>CE</sub> (V)	2

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