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Siehe Technische Spezifikationen

BFR193FH6327XTSA1 +BOM

RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-TSFP-3

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BFR193FH6327XTSA1
Datenblatt:

BFR193FH6327XTSA1 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

12V
Frequency - Transition:

8GHz
Noise Figure (dB Typ @ F):

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

BFR193FH6327XTSA1 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-TSFP-3

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz
For linear broadband amplifiers
Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free (WEEE compliant) product

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	12V
Frequency - Transition	8GHz	Noise Figure (dB Typ @ f)	1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gain	12.5dB	Power - Max	580mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 30mA, 8V	Current - Collector (Ic) (Max)	80mA
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BFR193	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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