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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BLF184XRU +BOM

Ultra High Frequency Band Silicon N-Channel FET

Hersteller:

Nxp
Herstellerteil #:

BLF184XRU
Datenblatt:

BLF184XRU Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Id - Continuous Drain Current:

100 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

135 V
Rds On - Drain-Source Resistance:

160 mOhms
EDA/CAD Modelle:

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BLF184XRU Allgemeine Beschreibung

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-4

Hauptmerkmale

Easy power control
Integrated ESD protection
Excellent ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (HF to 600 MHz)
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)

Spezifikationen

Product Category	RF MOSFET Transistors	Technology	Si
Id - Continuous Drain Current	100 mA	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	135 V
Rds On - Drain-Source Resistance	160 mOhms	Mounting Style	SMD/SMT
Product Type	RF MOSFET Transistors	Factory Pack Quantity	60
Subcategory	MOSFETs	Vgs - Gate-Source Voltage	11 V

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