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Siehe Technische Spezifikationen

BU806 +BOM

TO-220C Bipolar Transistors - BJT ROHS

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

BU806
Datenblatt:

BU806 Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

200 V
Emitter- Base Voltage VEBO:

6 V
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BU806 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 200 V 8 A 60 W Through Hole TO-220-3

Hauptmerkmale

Collector-Emitter Voltage (VCEO): 250V
Collector-Base Voltage (VCBO): 300V
Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
Continuous Collector Current (IC): 4A
Maximum Power Dissipation (Pd): 36W
Transition Frequency (fT): 3MHz
Low frequency noise: 5dB
High DC current gain: 1000

Anwendung

High voltage switching applications
Power amplifier circuits
DC-DC converter circuits
Audio amplifier circuits
Power supplies

Spezifikationen

Product Category	Darlington Transistors	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	200 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector- Base Voltage VCBO	200 V
Maximum DC Collector Current	8 A	Maximum Collector Cut-off Current	100 uA
Pd - Power Dissipation	60 W	Mounting Style	Through Hole
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	8 A
Height	9.4 mm	Length	10.1 mm
Product Type	Darlington Transistors	Factory Pack Quantity	200
Subcategory	Transistors	Width	4.7 mm
Part # Aliases	BU806_NL	Unit Weight	0.063493 oz

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