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BUK9675-55A,118 +BOM

N-channel TrenchMOS logic level FET

BUK9675-55A,118 Allgemeine Beschreibung

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

Nexperia Semiconductor (NXP) Inventar

Hauptmerkmale

  • AEC-Q101 compliant
  • Low conduction losses due to low on-state resistance
  • Suitable for logic level gate drive sources
  • Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating
Nexperia Semiconductor (NXP) Originalbestand

Anwendung

  • 12 V and 24 V loads
  • Automotive and general purpose power switching
  • Motors, lamps and solenoids
Nexperia Semiconductor (NXP) Inventar

Spezifikationen

id http://www.data.nexperia.com/id/plm/salesItem/934056269118 nc12 934056269118
name BUK9675-55A,118 packingDescription Reel 13" Q1/T1
packingQuantity 800 Product Category: MOSFET
Technology: Si Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 55 V Id - Continuous Drain Current: 20 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 68 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V Qg - Gate Charge: -
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 62 W Channel Mode: Enhancement
Qualification: AEC-Q101 Packaging: MouseReel
Product Type: MOSFET Factory Pack Quantity: 800
Subcategory: MOSFETs Part # Aliases: 934056269118
Unit Weight: 0.139332 oz

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