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Siehe Technische Spezifikationen

BUX87 +BOM

The BUX87 is manufactured using High Voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage withstand capability.

Hersteller:

STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #:

BUX87
Datenblatt:

BUX87 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

450 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1V @ 20mA, 200mA
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BUX87 Allgemeine Beschreibung

The BUX87 is manufactured using High Voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage withstand capability.

Hauptmerkmale

High voltage capability (450 V VCEO)
High DC current gain
Minimum lot-to-lot spread for reliable operation

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	450 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 20mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100µA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	12 @ 40mA, 5V
Power - Max	40 W	Frequency - Transition	20MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	BUX87

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