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Siehe Technische Spezifikationen

BUL381D +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 5 A 70 W Through Hole TO-220

Hersteller:

STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #:

BUL381D
Datenblatt:

BUL381D Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

400 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1.1V @ 750mA, 3A
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BUL381D Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 5 A 70 W Through Hole TO-220

Hauptmerkmale

INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE
LARGE RBSOA
STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE
LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
HIGH VOLTAGE CAPABILITY
VERY HIGH SWITCHING SPEED
MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.1V @ 750mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)	250µA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	8 @ 2A, 5V
Power - Max	70 W	Frequency - Transition	-
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	BUL381

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