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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BUX85G +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 2 A 4MHz 50 W Through Hole TO-220

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

BUX85G
Datenblatt:

BUX85G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

221A-09
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

BUX85G Allgemeine Beschreibung

When it comes to power switching applications that demand exceptional performance, the BUX85G Bipolar Power Transistor stands out as a top-tier choice. Its high voltage handling capacity and fast switching speeds make it an ideal component for converters, inverters, switching regulators, and motor control systems. With a focus on efficiency and reliability, this transistor ensures seamless power management in various industrial and commercial settings. Trust the BUX85G to deliver consistent and superior performance in even the most demanding power applications

Hauptmerkmale

V_CEO(sus) 450 V
V_CES(sus) 1000 V
Fall time = 0.3 ms (typ) at I_C = 1.0 A
V_CE(sat) = 1.0 V (max) at I_C = 1.0 A, I_B = 0.2 A
Pb-Free Package is Available

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	221A-09
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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365-Tage-Produkt

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Bewertungen und Rezensionen

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N**e 11.27.2022

Payments received after eight days, executed qualitatively, have not yet checked.

C**a 07.09.2022

My scarves are here. All serviceable. The kirov region was about 5 days old. The bag was thrown in the mailbox. Thank you, everything is fine. I recommend the product and the seller.

N**o 06.19.2022

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