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Siehe Technische Spezifikationen

CE3512K2 +BOM

Reliable solution for wireless communication systems and satellite equipme

Hersteller:

California Eastern Laboratories
Herstellerteil #:

CE3512K2
Datenblatt:

CE3512K2 Datenblatt (PDF)
Technology:

pHEMT FET
Frequency:

12GHz
Gain:

13.7dB
Voltage - Test:

2 V

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

CE3512K2 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsRF FETs, MOSFETs	Series	-
Technology	pHEMT FET	Frequency	12GHz
Gain	13.7dB	Voltage - Test	2 V
Current Rating (Amps)	15mA	Noise Figure	0.5dB
Current - Test	10 mA	Power - Output	125mW
Voltage - Rated	4 V	Base Product Number	CE3512
Product Category:	RF JFET Transistors	Transistor Type:	pHEMT
Technology:	GaAs	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	4 V
Id - Continuous Drain Current:	10 mA	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 125 C	Pd - Power Dissipation:	125 mW
Mounting Style:	SMD/SMT	Packaging:	Bulk
Forward Transconductance - Min:	54	Product Type:	RF JFET Transistors
Factory Pack Quantity:	1	Subcategory:	Transistors
Unit Weight:	0.000581 oz

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