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Siehe Technische Spezifikationen

CE3512K2-C1 +BOM

125mW - MOSFETs ROHS

Hersteller:

Cel
Herstellerteil #:

CE3512K2-C1
Datenblatt:

CE3512K2-C1 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

pHEMT
Technology:

GaAs
Operating Frequency:

12 GHz
Gain:

13.7 dB

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

CE3512K2-C1 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X

Spezifikationen

Product Category	RF JFET Transistors	Transistor Type	pHEMT
Technology	GaAs	Operating Frequency	12 GHz
Gain	13.7 dB	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	4 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 3 V	Id - Continuous Drain Current	10 mA
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 125 C
Pd - Power Dissipation	125 mW	Mounting Style	SMD/SMT
Configuration	Single	Forward Transconductance - Min	54 mS
Gate-Source Cutoff Voltage	- 750 mV	NF - Noise Figure	0.3 dB
Product Type	RF JFET Transistors	Factory Pack Quantity	10000
Subcategory	Transistors	Unit Weight	0.000581 oz

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