Bezahlverfahren
CE3514M4 +BOM
CE3514M4 delivers 125mW power - ROHS MOSFETs
BGA-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
CE3514M4
-
Datenblatt:
-
Technology:
pHEMT FET
-
Frequency:
12GHz
-
Gain:
12.2dB
-
Voltage - Test:
2 V
-
EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 7871 Stck
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CE3514M4 Allgemeine Beschreibung
RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 12.2dB 125mW 4-Super Mini Mold
Spezifikationen
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsRF FETs, MOSFETs | Series | - |
Technology | pHEMT FET | Frequency | 12GHz |
Gain | 12.2dB | Voltage - Test | 2 V |
Current Rating (Amps) | 15mA | Noise Figure | 0.62dB |
Current - Test | 10 mA | Power - Output | 125mW |
Voltage - Rated | 4 V | Base Product Number | CE3514 |
Product Category: | RF JFET Transistors | Transistor Type: | pHEMT |
Technology: | GaAs | Id - Continuous Drain Current: | 10 mA |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 125 C |
Pd - Power Dissipation: | 125 mW | Mounting Style: | SMD/SMT |
Packaging: | Bulk | Configuration: | Single |
Forward Transconductance - Min: | 54 mS | Product Type: | RF JFET Transistors |
Factory Pack Quantity: | 1 | Subcategory: | Transistors |
Unit Weight: | 0.000160 oz |
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In Stock: 7.871
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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