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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

CE3521M4 +BOM

Compact design ensures minimal space usage in your device

Hersteller:

California Eastern Laboratories
Herstellerteil #:

CE3521M4
Datenblatt:

CE3521M4 Datenblatt (PDF)
Technology:

pHEMT FET
Frequency:

20GHz
Gain:

11.9dB
Voltage - Test:

2 V
EDA/CAD Modelle:

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CE3521M4 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 2 V 10 mA 20GHz 11.9dB 125mW 4-Super Mini Mold

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsRF FETs, MOSFETs	Series	-
Technology	pHEMT FET	Frequency	20GHz
Gain	11.9dB	Voltage - Test	2 V
Current Rating (Amps)	15mA	Noise Figure	1.05dB
Current - Test	10 mA	Power - Output	125mW
Voltage - Rated	4 V	Base Product Number	CE3521
Product Category:	RF JFET Transistors	Transistor Type:	pHEMT
Technology:	GaAs	Packaging:	Bulk
Product Type:	RF JFET Transistors	Factory Pack Quantity:	1
Subcategory:	Transistors	Unit Weight:	0.000160 oz

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