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Siehe Technische Spezifikationen

CE3520K3-C1 +BOM

Reliable CEKCN-channel FET with advanced power handling capabilities for demanding applications

Hersteller:

California Eastern Laboratories
Herstellerteil #:

CE3520K3-C1
Datenblatt:

CE3520K3-C1 Datenblatt (PDF)
Technology:

pHEMT FET
Frequency:

20GHz
Gain:

13.8dB
Voltage - Test:

2 V
EDA/CAD Modelle:

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CE3520K3-C1 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 2 V 10 mA 20GHz 13.8dB 125mW 4-Micro-X

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsRF FETs, MOSFETs	Series	-
Technology	pHEMT FET	Frequency	20GHz
Gain	13.8dB	Voltage - Test	2 V
Current Rating (Amps)	15mA	Noise Figure	0.8dB
Current - Test	10 mA	Power - Output	125mW
Voltage - Rated	4 V	Base Product Number	CE3520
Current Rating	15 mA	Output Power	125 mW
Schedule B	8541210080	Test Current	10 mA
Test Voltage	2 V	Voltage Rating	4 V

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