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Siehe Technische Spezifikationen

DMN2058UW-7 +BOM

3-Pin SOT-23 package N-Channel MOSFET from Diodes Inc., capable of handling up to 20V

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

DMN2058UW-7
Datenblatt:

DMN2058UW-7 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

3.5A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an DMN2058UW-7

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

DMN2058UW-7 Allgemeine Beschreibung

Ideal for battery protection circuits, DC-DC converters, and other power management applications, the DMN2058UW-7 boasts a maximum drain-source voltage of 30 V and a continuous drain current of 20 A, providing the versatility and robustness required for demanding operational environments. Its threshold voltage range of 1.5 V to 2.5 V further enhances its compatibility with a wide range of voltage levels, ensuring consistent and efficient performance across diverse applications

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±12V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	281 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	500mW (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	DMN2058

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