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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

DMN62D0LFD-7 +BOM

DMN62D0LFD-7 is an N-channel enhancement mode MOSFET designed for small signal applications

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

DMN62D0LFD-7
Datenblatt:

DMN62D0LFD-7 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

310mA (Ta)
EDA/CAD Modelle:

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DMN62D0LFD-7 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 310mA (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3

Hauptmerkmale

Low On-Resistance: RDS(ON)
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant "Green" Device (Notes 2, 4 and 6)
ESD Protected Up To 2kV

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	310mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	31 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	480mW (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	DMN62

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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