Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

EPC2104 +BOM

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 23A 75-Pin Die

Hersteller:

EPC
Herstellerteil #:

EPC2104
Datenblatt:

EPC2104 Datenblatt (PDF)
ECCN:

EAR99
Supplier Cage Code:

6UTY1
Series:

eGaN®
Technology:

GaNFET (Gallium Nitride)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an EPC2104

EPC2104 Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 100V 23A Surface Mount Die

Spezifikationen

ECCN	EAR99	Supplier Cage Code	6UTY1
Series	eGaN®	Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)	FET Feature	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3mOhm @ 20A, 5V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 5.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 5V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 50V
Power - Max	-	Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	EPC210

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..