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Siehe Technische Spezifikationen

FD250R65KE3KNOSA1 +BOM

IGBT Module Single 6500 V 250 A 4800 W Chassis Mount Module

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FD250R65KE3KNOSA1
Datenblatt:

FD250R65KE3KNOSA1 Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

6500 V
Current - Collector (Ic) (Max):

250 A
Power - Max:

4800 W
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FD250R65KE3KNOSA1

FD250R65KE3KNOSA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Single 6500 V 250 A 4800 W Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Low V
CEsat
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Capability
Extended Storage Temperature down to>
Package with CTI > 600
Package with enhanced Insulation of 10.2kV AC 1min
High Creepage and Clearance Distance
Standardized housing

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Motor control and drives
Traction

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	-	Configuration	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	6500 V	Current - Collector (Ic) (Max)	250 A
Power - Max	4800 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.4V @ 15V, 250A
Current - Collector Cutoff (Max)	5 mA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	69 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-50°C ~ 125°C	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	FD250R65	RHoS	no
PBFree	no	HalogenFree	no
Product Category	IGBT Modules	Product Type	IGBT Modules
Subcategory	IGBTs	Part # Aliases	FD250R65KE3-K SP000976698

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