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Siehe Technische Spezifikationen

FD800R33KF2C-K +BOM

IGBT Modules N-CH 3.3KV 1.3KA

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FD800R33KF2C-K
Datenblatt:

FD800R33KF2C-K Datenblatt (PDF)
Series:

IHM-A
Configuration:

Single Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

3300 V
Power - Max:

9600 W
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FD800R33KF2C-K

FD800R33KF2C-K Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Single Chopper 3300 V 9600 W Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Capability
Standardized housing

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Potential Applications

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	IHM-A
IGBT Type	-	Configuration	Single Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	3300 V	Power - Max	9600 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	4.25V @ 15V, 800A	Current - Collector Cutoff (Max)	5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce	100 nF @ 25 V	Input	Standard
NTC Thermistor	No	Operating Temperature	-40°C ~ 125°C
Mounting Type	Chassis Mount	Base Product Number	FD800R33

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