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Siehe Technische Spezifikationen

FDS6690A +BOM

With a logic level capability

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDS6690A
Datenblatt:

FDS6690A Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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FDS6690A Allgemeine Beschreibung

This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

Hauptmerkmale

11 A, 30 V
R_DS(ON) = 12.5 mΩ @ V_GS = 10 V
R_DS(ON) = 17.0 mΩ @ V_GS = 4.5 V
Fast switching speed
Low gate charge
High performance trench technology for extremely low R_DS(ON)
High power and current handling capability

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	11 A	Rds On - Drain-Source Resistance	12.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	16 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDS6690A	Configuration	Single
Fall Time	9 ns	Forward Transconductance - Min	48 S
Height	1.75 mm	Length	4.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	5 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	28 ns	Typical Turn-On Delay Time	9 ns
Width	3.9 mm	Part # Aliases	FDS6690A_NL
Unit Weight	0.006596 oz

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