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Siehe Technische Spezifikationen

FF100R12RT4 +BOM

IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 100 A 555 W Chassis Mount Module

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FF100R12RT4
Datenblatt:

FF100R12RT4 Datenblatt (PDF)
IGBT Type:

Trench Field Stop
Configuration:

2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

100 A

FF100R12RT4 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 100 A 555 W Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Extended operation temperature T
vj op
Low switching losses
Low V
CEsat
T
vj>
V
CEsat
Isolated base plate
Standard housing
Flexibility
Optimal electrical performance
Highest reliability

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Solutions for photovoltaic energy systems
Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	Trench Field Stop	Configuration	2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	100 A
Power - Max	555 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.15V @ 15V, 100A
Current - Collector Cutoff (Max)	1 mA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	630 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	FF100R12

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