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FF900R12IP4PBOSA1 +BOM

IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 900 A Chassis Mount Module

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FF900R12IP4PBOSA1
Datenblatt:

FF900R12IP4PBOSA1 Datenblatt (PDF)
Series:

PrimePACK™2
IGBT Type:

Trench Field Stop
Configuration:

2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FF900R12IP4PBOSA1

FF900R12IP4PBOSA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 900 A Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Extended operation temperature T
vj op
High DC stability
High short circuit capability, self limiting short circuit current
Low switching losses
Unbeatable robustness
V
CEsat
4 kV AC 1 min insulation
Package with CTI > 400
High creepage and clearance distances
High power and thermal cycling capability
Substrate for low thermal resistance
UL recognize
High power density
Standardized housing

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Motor control and drives
Power converterand inverter forwind turbines

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	PrimePACK™2
IGBT Type	Trench Field Stop	Configuration	2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	900 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.05V @ 15V, 900A	Current - Collector Cutoff (Max)	5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce	54 nF @ 25 V	Input	Standard
NTC Thermistor	Yes	Operating Temperature	-40°C ~ 150°C
Mounting Type	Chassis Mount	Base Product Number	FF900R12
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	no	Product Category	IGBT Modules
Product Type	IGBT Modules	Subcategory	IGBTs
Part # Aliases	FF900R12IP4P SP001089916

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