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Siehe Technische Spezifikationen

FF800R17KE3B2NOSA1 +BOM

IGBT-modules ,Inverter

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FF800R17KE3B2NOSA1
Datenblatt:

FF800R17KE3B2NOSA1 Datenblatt (PDF)
Series:

IHM-B
Configuration:

2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1700 V
Current - Collector (Ic) (Max):

1200 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FF800R17KE3B2NOSA1

FF800R17KE3B2NOSA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module 2 Independent 1700 V 1200 A 5200 W Chassis Mount A-IHV130-3

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	IHM-B
IGBT Type	-	Configuration	2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700 V	Current - Collector (Ic) (Max)	1200 A
Power - Max	5200 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 800A
Current - Collector Cutoff (Max)	5 mA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	72 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
feature-technology		feature-channel-type
feature-configuration		feature-maximum-gate-emitter-voltage-v
feature-maximum-collector-emitter-voltage-v		feature-maximum-continuous-collector-current-a
feature-maximum-power-dissipation-mw		feature-packaging	Tray
feature-pin-count	7	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	Yes	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive		feature-p-pap
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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