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FF600R12KE4EBOSA1 +BOM

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 600 A Chassis Mount Module

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FF600R12KE4EBOSA1
Datenblatt:

FF600R12KE4EBOSA1 Datenblatt (PDF)
Series:

C
IGBT Type:

Trench Field Stop
Configuration:

Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FF600R12KE4EBOSA1

FF600R12KE4EBOSA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 600 A Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

T
vj>
RoHS compliant
4 kV AC 1 min Insulation
Package with CTI > 400
High Creepage and Clearance Distances
UL/CSA Certification with UL1557 E83336
Existing packages with higher current capability, allows to increase inverter output power with same frame size
Highest power density
Flexibility
Optimal electrical performance
Highest reliability

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Motor control and drives
Solutions for photovoltaic energy systems
Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	C
IGBT Type	Trench Field Stop	Configuration	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	600 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 600A	Current - Collector Cutoff (Max)	5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce	38 nF @ 25 V	Input	Standard
NTC Thermistor	No	Operating Temperature	-40°C ~ 150°C
Mounting Type	Chassis Mount	Base Product Number	FF600R12
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	no

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