Bezahlverfahren
FGH30S150P +BOM
1500 volt, 30 amp IGBT with shorted-anode
TO-247-3-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
FGH30S150P
-
Datenblatt:
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Technology:
Si
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Mounting Style:
Through Hole
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Configuration:
Single
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Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
1.5 kV
-
EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 4324 Stck
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FGH30S150P Allgemeine Beschreibung
With a focus on advanced field stop trench and shorted-anode technology, ON Semiconductor unveils the FGH30S150P, a shorted-anode trench IGBT engineered for optimal conduction and switching performance in soft switching scenarios. This device sets itself apart with its exceptional ability to operate in parallel configurations while maintaining superior avalanche capability. Specifically catered to applications in induction heating and microwave ovens, the FGH30S150P exemplifies ON Semiconductor's commitment to delivering innovative solutions that meet the evolving demands of the semiconductor industry
Hauptmerkmale
- High Current Capability
- Fast Response Time
- Good Noise Reduction
- Low Power Consumption
Anwendung
- Reliable power conversion
- Efficient energy storage
Spezifikationen
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.5 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.15 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 25 V, 25 V | Continuous Collector Current at 25 C | 60 A |
Pd - Power Dissipation | 500 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Series | FGH30S150P |
Continuous Collector Current Ic Max | 30 A | Gate-Emitter Leakage Current | +/- 500 nA |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 450 |
Subcategory | IGBTs | Unit Weight | 0.225401 oz |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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FGH30S150P Datenblatt PDF
FGH30S150P PDF Vorschau
In Stock: 4.324
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1+ | - | - |
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