Bezahlverfahren
FMH07N90E +BOM
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P(Q), 3 PIN
TO-3P-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
FMH07N90E
-
Datenblatt:
-
Part Life Cycle Code:
Not Recommended
-
Pin Count:
3
-
ECCN Code:
EAR99
-
Additional Feature:
LOW NOISE
-
EDA/CAD Modelle:
All bill of materials (BOM) can be sent via email to [email protected], or fill below form to Quote for FMH07N90E, guaranteed quotes back within 12hr.
Verfügbarkeit: 5682 Stck
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FMH07N90E Allgemeine Beschreibung
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P(Q), 3 PIN
Hauptmerkmale
- Low on-state resistance
- Low switching loss
- easy to use (more controllabe switching dV/dt by Rg)
Spezifikationen
Part Life Cycle Code | Not Recommended | Pin Count | 3 |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
Additional Feature | LOW NOISE | Avalanche Energy Rating (Eas) | 396.3 mJ |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 900 V |
Drain Current-Max (ID) | 7 A | Drain-source On Resistance-Max | 2 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 145 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 28 A |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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In Stock: 5.682
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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