Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Privacy Policy.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FQP12P10 +BOM

P-Channel 100 V 11.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FQP12P10
Datenblatt:

FQP12P10 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

End Of Life
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FQP12P10

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

FQP12P10 Allgemeine Beschreibung

These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using a proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for lowvoltage applications such as audio amplifier, high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor control.

Hauptmerkmale

-11.5 A, -100 V, R_DS(on)= 290 mΩ (Max.) @ V_GS = -10 V, I_D = -5.75 A
Low Gate Charge (Typ. 21 nC)
Low Crss (Typ. 65 pF)
100% Avalanche Tested
175ºC Maximum Junction Temperature Rating

Anwendung

Audio Amplifiers
DC/DC Converters
DC Motor Control

Spezifikationen

Source Content uid	FQP12P10	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	End Of Life	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	6 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	370 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V	Drain Current-Max (ID)	11.5 A
Drain-source On Resistance-Max	0.29 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	75 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	46 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..