Bezahlverfahren
FQP6N80C +BOM
N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 158W (Tc) Through Hole TO-220-3
TO-220-3-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
FQP6N80C
-
Datenblatt:
-
Pbfree Code:
Yes
-
Part Life Cycle Code:
Active
-
Reach Compliance Code:
not_compliant
-
ECCN Code:
EAR99
-
EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 7257 Stck
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FQP6N80C Allgemeine Beschreibung
The FQP6N80C N-Channel power MOSFET from ON Semiconductor features state-of-the-art planar stripe and DMOS technology, enabling it to offer unmatched performance in various power applications. With a focus on reducing on-state resistance and enhancing switching capabilities, this MOSFET is a top choice for applications like switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts. Its high avalanche energy strength ensures reliable operation even under challenging conditions, making it a reliable solution for critical power management needs
Hauptmerkmale
- 5.5A, 800V, RDS(on) = 2.5Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 2.75A
- Low gate charge ( Typ. 21nC)
- Low Crss ( Typ. 8pF)
- 100% avalanche tested
Anwendung
- Other Industrial
Spezifikationen
Source Content uid | FQP6N80C | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 28 Weeks |
Application | SWITCHING | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-220AB |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Surface Mount | NO |
Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Transistor Element Material | SILICON |
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In Stock: 7.257
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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