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Siehe Technische Spezifikationen

FZ1200R12KF4NOSA1 +BOM

Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 7800W 7-Pin IHM130-2 Tray

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FZ1200R12KF4NOSA1
Datenblatt:

FZ1200R12KF4NOSA1 Datenblatt (PDF)
Series:

IHM-B
Configuration:

Single Switch
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

1200 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FZ1200R12KF4NOSA1

FZ1200R12KF4NOSA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Single Switch 1200 V 1200 A 7800 W Chassis Mount

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	IHM-B
IGBT Type	-	Configuration	Single Switch
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	1200 A
Power - Max	7800 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 1.2kA
Current - Collector Cutoff (Max)	16 mA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	90 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
feature-technology		feature-channel-type	N
feature-configuration	Dual	feature-maximum-gate-emitter-voltage-v	±20
feature-maximum-collector-emitter-voltage-v	1200	feature-maximum-continuous-collector-current-a	1200
feature-maximum-power-dissipation-mw	7800	feature-packaging	Tray
feature-pin-count	7	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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