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Siehe Technische Spezifikationen

FZ3600R12HP4HOSA2 +BOM

IGBT Module Trench Single Switch 1200 V 4930 A 19000 W Chassis Mount Module

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FZ3600R12HP4HOSA2
Datenblatt:

FZ3600R12HP4HOSA2 Datenblatt (PDF)
Series:

IHM-B
IGBT Type:

Trench
Configuration:

Single Switch
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FZ3600R12HP4HOSA2

FZ3600R12HP4HOSA2 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Trench Single Switch 1200 V 4930 A 19000 W Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Extended Operation Temperature T
vj op
4 kV AC 1min Insulation
Package with CTI > 400
UL recognised
High Power Density
Standardized housing

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	IHM-B
IGBT Type	Trench	Configuration	Single Switch
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	4930 A
Power - Max	19000 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.05V @ 15V, 3600A
Current - Collector Cutoff (Max)	5 mA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	225 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	FZ3600	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	no
Product Category	IGBT Modules	Product Type	IGBT Modules
Subcategory	IGBTs	Part # Aliases	FZ3600R12HP4 SP001172190

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