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Siehe Technische Spezifikationen

HGTG11N120CND +BOM

Non-Punch Through IGBTs HGTG11N120CND TO-247AC-3 1.2kV 298W 43A

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

HGTG11N120CND
Datenblatt:

HGTG11N120CND Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

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HGTG11N120CND Allgemeine Beschreibung

The HGTG11N120CND module is a powerhouse in the world of IGBT technology. With its high voltage and current ratings, it is perfect for demanding applications where efficiency and performance are key. The use of advanced trench gate field stop technology sets this module apart from the competition, allowing for superior performance with low on-state voltage and switching losses

Hauptmerkmale

Advanced Packaging Technology
Low Power Loss and High Efficiency
Simplified System Integration
Robust and Durable Design
Real-Time Temperature Monitoring

Anwendung

Backup Power Source
Emergency Power Backup
Power Protection System

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage	2.1 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	43 A	Pd - Power Dissipation	298 W
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	HGTG11N120CND	Continuous Collector Current	55 A
Continuous Collector Current Ic Max	43 A	Gate-Emitter Leakage Current	+/- 250 nA
Height	20.82 mm	Length	15.87 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	450
Subcategory	IGBTs	Width	4.82 mm
Part # Aliases	HGTG11N120CND_NL	Unit Weight	0.225401 oz

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