Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Privacy Policy.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

HGTG30N60A4D

TO-247AC-3 IGBTs ROHS

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

HGTG30N60A4D
Datenblatt:

HGTG30N60A4D Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an HGTG30N60A4D

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

HGTG30N60A4D Allgemeine Beschreibung

The HGTG30N60A4D is a MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49343. The diode used in anti-parallel is the development type TA49373. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for high frequency switch mode power supplies. Formerly Developmental Type TA49345.

Hauptmerkmale

100kHz Operation at 390V, 30A
200kHz Operation at 390V, 18A
600V Switching SOA Capability
Typical Fall Time. . . . . . . . . . 60ns at T_J = 125&°C
Low Conduction Loss
Temperature Compensating SABER^™Model

Anwendung

AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.8 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	70 A	Pd - Power Dissipation	463 W
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	HGTG30N60A4D	Continuous Collector Current	75 A
Continuous Collector Current Ic Max	75 A	Gate-Emitter Leakage Current	+/- 250 nA
Height	20.82 mm	Length	15.87 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	450
Subcategory	IGBTs	Width	4.82 mm
Part # Aliases	HGTG30N60A4D_NL	Unit Weight	0.225401 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..