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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

HIP6601ACB +BOM

0.73A Half Bridge Driver in PDSO8 Packaging

Hersteller:

renesas electronics
Herstellerteil #:

HIP6601ACB
Datenblatt:

HIP6601ACB Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Minimum Operating Temperature:

0 C
Maximum Operating Temperature:

+ 85 C
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an HIP6601ACB

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

Drives Two N-Channel MOSFETs
Adaptive Shoot-Through Protection
Internal Bootstrap Device
Supports High Switching Frequency
- Fast Output Rise Time
- Propagation Delay 30ns
Small 8 Lead SOIC and EPSOIC and 16 Lead QFN Packages
Dual Gate-Drive Voltages for Optimal Efficiency
Three-State Input for Output Stage Shutdown
Supply Under Voltage Protection

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Minimum Operating Temperature	0 C
Maximum Operating Temperature	+ 85 C	Fall Time	20 ns
Height	1.5 mm	Length	5 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	50 ns (Typ)
Subcategory	MOSFETs	Width	4 mm
Unit Weight	0.002610 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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