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Siehe Technische Spezifikationen

IAUA250N04S6N007EAUMA1 +BOM

This MOSFET is engineered for automotive use

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IAUA250N04S6N007EAUMA1
Datenblatt:

IAUA250N04S6N007EAUMA1 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

435A (Tj)

IAUA250N04S6N007EAUMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 40 V 435A (Tj) 250W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-5-4

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	435A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.7Ohm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 130µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	151 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9898 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	250W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IAUA250	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes
Product Category	MOSFET	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V	Id - Continuous Drain Current	380 A
Rds On - Drain-Source Resistance	700 uOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V	Qg - Gate Charge	94 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	192 W	Channel Mode	Enhancement
Fall Time	19 ns	Moisture Sensitive	Yes
Product Type	MOSFET	Rise Time	14 ns
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	27 ns
Typical Turn-On Delay Time	13 ns	Part # Aliases	IAUA250N04S6N007E SP005596862

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