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Siehe Technische Spezifikationen

IAUC100N04S6N022ATMA1 +BOM

N-Channel 40 V 100A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IAUC100N04S6N022ATMA1
Datenblatt:

IAUC100N04S6N022ATMA1 Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IAUC100N04S6N022ATMA1

IAUC100N04S6N022ATMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 40 V 100A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

OptiMOS
TM
N-channel - Enhancement mode - Normal LevelAEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.26mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 32µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2421 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	75W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IAUC100	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes
Product Category	MOSFET	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V	Id - Continuous Drain Current	100 A
Rds On - Drain-Source Resistance	2.11 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.6 V	Qg - Gate Charge	29 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	75 W	Channel Mode	Enhancement
Fall Time	6 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	3 ns	Factory Pack Quantity	5000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	11 ns	Typical Turn-On Delay Time	5 ns
Part # Aliases	IAUC100N04S6N022 SP001790496	Unit Weight	0.003966 oz

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