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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IAUC41N06S5N102ATMA1 +BOM

Power Mosfet for Automotive AEC-Q101

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IAUC41N06S5N102ATMA1
Datenblatt:

IAUC41N06S5N102ATMA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IAUC41N06S5N102ATMA1

IAUC41N06S5N102ATMA1 Allgemeine Beschreibung

Equipped with advanced features such as non-uniformity correction (NUC), automatic gain control (AGC), and dynamic range enhancement (DRE), the IAUC41N06S5N102ATMA1 ensures top-notch imaging quality in various lighting conditions. Additionally, its 14-bit high dynamic range delivers superior image quality with low noise and exceptional sensitivity

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	41 A	Rds On - Drain-Source Resistance	10.2 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.4 V
Qg - Gate Charge	12.5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	42 W
Channel Mode	Enhancement	Series	IAUCXN06S5
Product	MOSFET	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	MOSFETs
Part # Aliases	IAUC41N06S5N102 SP003244390

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