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Siehe Technische Spezifikationen

IAUC60N04S6N031HATMA1 +BOM

Mosfet Array 40V 60A (Tj) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-56

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IAUC60N04S6N031HATMA1
Datenblatt:

IAUC60N04S6N031HATMA1 Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 N-Channel (Half Bridge)
Drain To Source Voltage (Vdss):

40V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IAUC60N04S6N031HATMA1

IAUC60N04S6N031HATMA1 Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 40V 60A (Tj) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-56

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Integrated half bridge SSO8 (5x6)
5x6 mm
2
Latest OptiMOS6 40V optimized for switching & power losses
Package JEDEC listed
Cost efficiency for low & mid power drive apps
Cu-clip soldered
Enhanced routing for bridge applications results in sizably reduced PCB area
Optimized for OptiMOS6
R
DS(ON)
Increased datasheet current rating of 60A

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Motor control
Window lift
BCM (Body Control Module)
Parking brake
Seat control module

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsFET, MOSFET Arrays	Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature	-	Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tj)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 25µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1922pF @ 25V	Power - Max	75W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IAUC60	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes
Product Category	MOSFET	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V	Id - Continuous Drain Current	113 A
Rds On - Drain-Source Resistance	3.1 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V	Qg - Gate Charge	23 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	75 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	OptiMOS	Fall Time	5 ns
Product Type	MOSFET	Rise Time	2 ns
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	10 ns
Typical Turn-On Delay Time	5 ns	Part # Aliases	IAUC60N04S6N031H SP003863382

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