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Siehe Technische Spezifikationen

IAUC90N10S5N062ATMA1 +BOM

Power transistor suitable for automotive environments, featuring N-channel technology with a maximum voltage of 100V and current capacity of 90A

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IAUC90N10S5N062ATMA1
Datenblatt:

IAUC90N10S5N062ATMA1 Datenblatt (PDF)
Series:

OptiMOS™-5
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V

IAUC90N10S5N062ATMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

OptiMOS 5 - power MOSFET for automotive applications
N-channel - Enhancement mode - Normal Level
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested
Infineon Automotive Quality
Extended qualification beyond AEC Q101
Enhanced testing
Advanced adhesion against delamination
Complementary testing for board level reliability

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	OptiMOS™-5
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 59µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3275 pF @ 50 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	115W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IAUC90	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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