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IAUS240N08S5N019ATMA1 +BOM

N-Channel 80 V 240A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IAUS240N08S5N019ATMA1
Datenblatt:

IAUS240N08S5N019ATMA1 Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

80 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IAUS240N08S5N019ATMA1

IAUS240N08S5N019ATMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 80 V 240A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

N-channel - Enhancement mode
AEC qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green product (RoHS compliant)
Ultra low Rds(on)
100% Avalanche tested

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	240A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 160µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9264 pF @ 40 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	230W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IAUS240	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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