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IAUS300N10S5N015TATMA1 +BOM

N-Channel 100 V 300A (Tj) 375W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-16-2

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IAUS300N10S5N015TATMA1
Datenblatt:

IAUS300N10S5N015TATMA1 Datenblatt (PDF)
Series:

OptiMOS™ 5
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V

IAUS300N10S5N015TATMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 300A (Tj) 375W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-16-2

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

OptiMOS
TM
N-channel – Enhancement mode – Normal Level
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Ultra low RDS(on)
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	OptiMOS™ 5
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	300A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 275µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	216 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	16011 pF @ 50 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	375W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes

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