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Siehe Technische Spezifikationen

IMW120R060M1H +BOM

IMW120R060M1H Power FET

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IMW120R060M1H
Datenblatt:

IMW120R060M1H Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Configuration:

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IMW120R060M1H

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IMW120R060M1H Allgemeine Beschreibung

Whether you're working on a renewable energy project, energy storage system, or UPS application, the IMW120R060M1H power module from Infineon Technologies is an ideal solution. Its advanced features, including the integrated CoolSiC™ MOSFET chip, high efficiency, and compact design, make it a top contender for high-performance applications requiring reliable power conversion

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	1200 V	Drain Current-Max (ID)	36 A
Drain-source On Resistance-Max	0.106 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	6.5 pF	JEDEC-95 Code	TO-247
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	150 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	76 A	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	10
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON CARBIDE
Product Category	MOSFET	Technology	SiC
Product Type	MOSFET	Subcategory	MOSFETs

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