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IPA60R160C6 +BOM

N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

IPA60R160C6 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Hauptmerkmale

Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss

Very high commutation ruggedness

Easy to use/drive

JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free

Anwendung

PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV, Lighting, Server, Telecom and UPS.

Spezifikationen

Source Content uid IPA60R160C6 Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Not Recommended Pin Count 3
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas) 497 mJ Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 600 V
Drain Current-Max (ID) 23.8 A Drain-source On Resistance-Max 0.16 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3 JESD-609 Code e3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 34 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 70 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Finish TIN Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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