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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPA60R380C6 +BOM

MOSFET N-Ch 600V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

IPA60R380C6
Datenblatt:

IPA60R380C6 Datenblatt (PDF)
Series:

CoolMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

600 V
EDA/CAD Modelle:

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IPA60R380C6 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Hauptmerkmale

Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss

Very high commutation ruggedness

Easy to use/drive

JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free2)

Anwendung

PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching PWM

stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV, Lighting, Server,

Telecom, UPS and Solar.

Spezifikationen

Series	CoolMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10.6A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380mOhm @ 3.8A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 320µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	700 pF @ 100 V	Power Dissipation (Max)	31W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IPA60R380

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