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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPB019N08N3G +BOM

Robust and reliable semiconductor component for industrial automation

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IPB019N08N3G
Datenblatt:

IPB019N08N3G Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

7
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPB019N08N3G

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IPB019N08N3G Allgemeine Beschreibung

N-Channel 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

Hauptmerkmale

Ideal for high frequency switching and sync. rec.
Optimized technology for motor drive applications.
Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
Very low on-resistance RDS(on)
Superior thermal resistance
N-channel - Logic level
100% avalanche tested
Pb-free plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target application
Halogen-free according to IEC61249-2-21

Spezifikationen

Source Content uid	IPB019N08N3G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	7
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	1430 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	80 V
Drain Current-Max (ID)	180 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0019 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PSSO-G6
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	300 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	720 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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