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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPT015N10N5 +BOM

Compact HSOF-8 package allows for efficient PCB layout and minimal space usage

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IPT015N10N5
Datenblatt:

IPT015N10N5 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

652 mJ
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPT015N10N5

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IPT015N10N5 Allgemeine Beschreibung

With Infineon’s OptiMOS™ power MOSFET in the TO-Leadless package, you can expect superior performance, reliability, and efficiency in your high current applications. The combination of high current capability, compact design, and reduced height make this power MOSFET an excellent choice for a wide range of applications, ensuring that your designs will meet the demands of today’s cutting-edge technology

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Source Content uid	IPT015N10N5	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	652 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	32 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0015 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PSSO-F8
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	1200 A	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

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