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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPW60R031CFD7XKSA1 +BOM

TO-247 Package Trans MOSFET in Tube packaging

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IPW60R031CFD7XKSA1
Datenblatt:

IPW60R031CFD7XKSA1 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

52 Weeks
EDA/CAD Modelle:

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IPW60R031CFD7XKSA1 Allgemeine Beschreibung

The IPW60R031CFD7XKSA1 power MOSFET transistor from Infineon Technologies is a top-of-the-line component that delivers exceptional performance across a variety of applications. With a drain-source voltage of 650V and a drain current of 13.6A, this transistor is built to handle high voltage tasks with ease. Its total power dissipation of 470W ensures stability and reliability even under demanding conditions

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	52 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	326 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	600 V	Drain Current-Max (ID)	63 A
Drain-source On Resistance-Max	0.031 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-247	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	277 A
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

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