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IPW65R110CFD +BOM

N-Channel MOSFET Transistor

IPW65R110CFD Allgemeine Beschreibung

Whether you are building industrial machinery or automotive electronics, the IPW65R110CFD transistor is a versatile component that can enhance the efficiency and reliability of your design. Its single-element design simplifies installation and reduces the overall complexity of the circuit layout

Hauptmerkmale

  • Ultra-fast body diode
  • Very high commutation ruggedness
  • Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss
  • Easy to use/drive
  • ​​​​​​​ Qualified for industrial grade applications according to JEDEC
  • (J-STD20 and JESD22)
  • Pb-free plating, Halogen free mold compound

Spezifikationen

Source Content uid IPW65R110CFD Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Pin Count 3
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas) 845 mJ Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 650 V Drain Current-Max (ID) 31.2 A
Drain-source On Resistance-Max 0.11 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-247 JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 277.8 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 99.6 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO Terminal Finish TIN
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

Garantie Garantie

Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.

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